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2024年06月09日

杨建:碳化硅晶片的“换道超车”

新华社记者 金立旺 摄

5月24日,在中国科学院物理研究所陈小龙研究员办公室,杨建(右)和陈小龙讨论下一步研发方向。

在天科合达位于北京大兴的公司总部车间,杨建(左)和同事在车间一起检查产品质量(1月24日摄)。

2006年,杨建作为创业团队带头人,和中国科学院物理研究所研究团队紧密合作,创立了天科合达,在国内率先从事第三代半导体碳化硅单晶衬底及相关产品的研发、生产和销售。

在过去的18年里,通过自主研发和技术积累,天科合达已形成拥有自主知识产权的碳化硅单晶生长炉制造、原料合成、晶体生长、晶体切割、晶片加工、清洗检测和外延片制备等七大关键核心技术体系,覆盖碳化硅材料生产全流程,形成一个研发中心、三家全资子公司和一家控股子公司的规模化业务布局。

碳化硅晶片是制造耐高压、耐高温、高频、低能耗半导体器件的理想材料,是国家新一代信息技术核心竞争力的重要支撑。

杨建现任天科合达总经理,他告诉记者,我国在碳化硅晶片领域已经实现“换道超车”。目前,天科合达的产品实现了对国内外客户的全方位供应,成为全球碳化硅晶片的主要供应商之一。

今年5月,北京天科合达半导体股份有限公司获得全国五一劳动奖状。杨建从一个创业者已经成长为碳化硅晶片领域的专家。

(新华社记者 金立旺 摄)

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